mbe分子束外延法介绍
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分子束外延是种物理沉积单晶薄膜方法。在超高真空腔内，源材料通过高温蒸发、辉光放电离子化、气体裂解，电子束加热蒸发等方法，产生分子束流。入射分子束与衬底交换能量后，湛江分子束外延，经表面吸附、迁移、成核、生长成膜。生长系统配有多种监控设备，可对生长过程中衬底温度，生长速度，膜厚等进行瞬时测量分析。对表面凹凸、起伏、原子覆盖度、黏附系数、蒸发系数及表面扩散距离等生长细节进行准确监控。由于mbe 的生长环境洁净、温度低、具有准确的原位实时监测系统、晶体完整性好、组分与厚度均匀准确，是良好的光电薄膜，分子束外延多少钱，半导体薄膜生长工具。
mbe分子束外延的定义
分子束外延是一种新的晶体生长技术，简记为mbe。其方法是将半导体衬底放置在超高真空腔体中，和将需要生长的单晶物质按元素的不同分别放在喷射炉中（也在腔体内）。由分别加热到相应温度的各元素喷射出的分子流能在上述衬底上生长出极薄的（可薄至单原子层水平）单晶体和几种物质交替的超晶格结构。分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该法生长温度低，能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度，但系统复杂，生长速度慢，生长面积也受到一定限制。
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mbe分子束外延系统的特点有哪些？
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利用分子束外延不仅制取了双质结激光器、三维介质集成光波导，分子束外延价格，还可以用此法使二种光波导重叠地生长在同一基片上，制成了从一个波导移向另一个波导的锥形辋合器，其耦合系数接近于100%。mbe法与其他液相、气相外延生长法相比较，其特点是：
①分子束外延生长是在超高真空下进行的，残余气体对膜的污染少，可保持极清洁的表面。
②生长温度低，如生长gaas只有500~600℃，si只有500℃。
③生长速度慢，(1~10μm/h)。可生长超薄(几个μm)而乎整的膜，膜层厚度、组分和杂质浓度均可进行准确地控制。
④可获得大面积的表面和界面有原子级平整度的外延生长膜。
⑤在同一系统中，可原位观察单晶薄膜的生长过程，可以进行生长机制的研究。外延生长的缺点是时间长，大批量生产性差，对真空条件要求高。
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